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作者:相逢萍水 日期:2008-05-10
凌特新推出TSOT-23封装的12位3Msps SAR ADC
作者:相逢萍水 日期:2008-05-10
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 4 月 30 日 – 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出 12 位逐次逼近寄存器 (SAR) ADC LTC2366，该器件采用 6 引线和 8 引线 TSOT-23 封装，以高达 3Msps 的速率输出数据。LTC2366 采用 2.35V 至 3.6V 单电源工作，在最高输出速率时仅消耗 7.2mW，比最接近的同类产品节省 20% 的功率。因其纤巧的占板面积和非常低的功耗，LTC2366 非常适用于多种便携式和空间受限应用，包括医疗设备、通信系统和工业监视器。
在采用 TSOT-23 封装、引脚和软件都兼容的 5 种凌力尔特 ADC 组成系列中，LTC2366 的速率是最快。LTC2365 的输出数据速率保证高达 1Msps，LTC2362 则为 500ksps。就较低速率而言，LTC2361 保证高达 250ksps，LTC2360 则为 100ksps。对每种采样率功率都进行了优化，LTC2360 在 100ksps 时仅消耗 1.5mW。在停机模式时的功耗可进一步降低，电源电流降至 2uA (最大值)，从而延长了电池寿命。所有 5 种 ADC 都提供了工业标准的 6 引脚 TSOT-23 封装和 8 引脚 TSOT-23 封装，8 引脚封装包括一个外部基准引脚和一个数字输出电源引脚 (OVDD)，数字输出电源引脚范围可为 1V 至 VDD。 LTC2366、LTC2365、LTC2362、LTC2361 和 LTC2360 在 -40℃ 至 +125℃ 的温度范围内性能规格有保证，可用来在汽车等各种应用中监视精确的 DC 或 AC 信号。
这些 ADC 通过串行 SPI/QSPI/Microwire 兼容接口通信，无数据延迟，实现了 ±1LSB INL 和 ±1LSB DNL 的卓越 DC 性能规格。这些转换器在数字化 AC 信号时也非常出色。LTC2366 在 1MHz 输入频率时测得 72dB SNR、-80dB THD 和 82dB SFDR。
在采用 TSOT-23 封装、引脚和软件都兼容的 5 种凌力尔特 ADC 组成系列中，LTC2366 的速率是最快。LTC2365 的输出数据速率保证高达 1Msps，LTC2362 则为 500ksps。就较低速率而言，LTC2361 保证高达 250ksps，LTC2360 则为 100ksps。对每种采样率功率都进行了优化，LTC2360 在 100ksps 时仅消耗 1.5mW。在停机模式时的功耗可进一步降低，电源电流降至 2uA (最大值)，从而延长了电池寿命。所有 5 种 ADC 都提供了工业标准的 6 引脚 TSOT-23 封装和 8 引脚 TSOT-23 封装，8 引脚封装包括一个外部基准引脚和一个数字输出电源引脚 (OVDD)，数字输出电源引脚范围可为 1V 至 VDD。 LTC2366、LTC2365、LTC2362、LTC2361 和 LTC2360 在 -40℃ 至 +125℃ 的温度范围内性能规格有保证，可用来在汽车等各种应用中监视精确的 DC 或 AC 信号。
这些 ADC 通过串行 SPI/QSPI/Microwire 兼容接口通信，无数据延迟，实现了 ±1LSB INL 和 ±1LSB DNL 的卓越 DC 性能规格。这些转换器在数字化 AC 信号时也非常出色。LTC2366 在 1MHz 输入频率时测得 72dB SNR、-80dB THD 和 82dB SFDR。
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作者:相逢萍水 日期:2008-05-09
安森美推出超小型SOT-963封装双小信号MOSFET
作者:相逢萍水 日期:2008-05-01
2008年4月21日 – 全球领先的高能效电源解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出三款新的采用超小型SOT-963封装的MOSFET，它们均针对空间受限的便携电子产品进行了优化。SOT-963的尺寸为1.0 mm×1.0 mm，安装面积比采用单SOT-723封装的MOSFET解决方案小30%，比SOT-563器件的小60%。这些采用SOT-963封装的NTUD312x新器件仅有0.5 mm的低垂直净距，满足新世代超薄手持便携设备的要求。
NTUD312x器件在1.5伏(V)门 – 源电压时具有额定的导通电阻值，从而在低压逻辑电平时启动(enable)操作供电。NTUD3127C是一款 20 V、200毫安(mA)/-180 mA互补小信号MOSFET。NTUD3128N是一款20 V、200 mA双N沟道MOSFET。NTUD3129P是一款-20 V、-180 mA双P沟道 MOSFET。
这些器件每8,000片的批量预算单价为0.33美元。
NTUD312x器件在1.5伏(V)门 – 源电压时具有额定的导通电阻值，从而在低压逻辑电平时启动(enable)操作供电。NTUD3127C是一款 20 V、200毫安(mA)/-180 mA互补小信号MOSFET。NTUD3128N是一款20 V、200 mA双N沟道MOSFET。NTUD3129P是一款-20 V、-180 mA双P沟道 MOSFET。
这些器件每8,000片的批量预算单价为0.33美元。
